|
B1436 даташитФункция этой детали – «PNP Transistor - 2sb1436». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
B1436 | ROHM Electronics |
PNP Transistor - 2SB1436 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
Transistors
Low frequency transistor (−20V, −5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
!External dimensions (Units : mm)
2SB1386
0.5±0.1
0.2 4.5+ −0.1 1.6±0.1 0.2 1.5 + −0.1
1.0±0.2
!Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.35V (Typ.) (IC/IB = −4A / −0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097.
2SB1412
1.5±0.3
6.5±0.2 0.2 5.1+ −0.1 C0.5
0.2 2.3+ −0.1 0.5±0.1
0.3 5.5+ −0.1
(1) 0.4±0.1 1.5±0.1
( |
Это результат поиска, начинающийся с "1436", "B1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1436 | Sanyo Semicon Device |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN2456
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1436
High hFE, AF Amplifier Applications
Applications
· AF amplifier, various drivers, muting circuit.
Features
· Adoption of MBIT process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Large current capacity. |
|
2SB1436 | ROHM Semiconductor |
Low Frequency Transistor(-20V/-5A) Transistors
Low Frequency Transistor (*20V,*5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
FFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.35V (Typ.) (IC / IB = *4A / *0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. FStructure Ep |
|
2SB1436 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1436
DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD2166 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications
PINNING PIN 1 2 3 Emi |
|
2SD1436 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused 2SD1436(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Power switching complementary pair with 2SB1032(K)
Outline
TO-3P
2
1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter
1
1.5 kΩ (Typ)
130 Ω (Typ) 3
2
3
2SD1436(K)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base |
|
2SD1436K | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused 2SD1436(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Power switching complementary pair with 2SB1032(K)
Outline
TO-3P
2
1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter
1
1.5 kΩ (Typ)
130 Ω (Typ) 3
2
3
2SD1436(K)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base |
|
2SK1436 | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:EN3574
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1436
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-state resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Converters. · Micaless package facilitating easy mounting.
Package Dimensions
unit:mm 2076B
16.0 3.4
[2SK143 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |