DataSheet26.com


B1240 даташит PDF

Это PNP Transistor - 2sb1240. На странице результатов поиска B1240 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
B1240 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
  PNP Transistor - 2SB1240

Transistors Medium power Transistor(*32V,*2A) 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M FFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.5V (Typ.) (IC / IB = *2A / *0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. FExternal dimensions (Unit: mm) FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (96-131-B24) 215 Transistors FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M FElectrical characteristics (Ta = 25_C)
pdf
B1240 ROHM Electronics
ROHM Electronics
  PNP Transistor - 2SB1240

2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 Transistors Medium power transistor (−32V, −2A) 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 !Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 !External dimensions (Units : mm) 2SB1188 0.5±0.1 2SB1182 1.5±0.3 0.2 4.5 + −0.1 1.6±0.1 0.2 1.5 + −0.1 6.5±0.2 0.2 5.1+ −0.1 C0.5 0.2 2.3 + −0.1 0.5±0.1 9.5±0.5 2.5 +0.2 −0.1 4.0±0.3 0.3 5.5+ −0.1 0.9 1.5 (1) 1.0±0.2 (2) (3) 0.4±0.1 1
pdf
B1240B250C1000-700 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
  Diode ( Rectifier )

pdf
B1240L American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
  Diode ( Rectifier )

pdf

[1]   





Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L  

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты