|
ATJ2097 даташитФункция этой детали – «Standar SchematIC». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ATJ2097 | ETC |
Standar schematic 2097 标准原理图(对外SCH).sch-1 - Tue Sep 12 13:15:37 2006
2097 标准原理图(对外SCH).sch-2 - Tue Sep 12 13:15:39 2006
More... bbs.MyDigit.cn
|
Это результат поиска, начинающийся с "2097", "ATJ2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1S2097 | American Microsemiconductor |
Diode (spec sheet) |
|
2SA2097 | Toshiba Semiconductor |
High-Speed Swtching Applications DC-DC Converter Applications 2SA2097
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2097
High-Speed Swtching Applications DC-DC Converter Applications
· · · High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = −0.5 A) Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = −0.27 V (max) High-speed switching: tf = 55 |
|
2SC2097 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in HF band Mobile radio applications) |
|
2SC2097 | HGSemi |
HG RF POWER TRANSISTOR HG
HG RF POWER TRANSISTOR
Semiconductors
ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR
2SC2097
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change Sep. 1998
www.HGSemi.com
|
|
2SD2097 | ROHM Semiconductor |
Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Transistors
Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166
FFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. FStructure Epi |
|
2SK2097 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK2097
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC - DC converter.
Outline
TO-220CFM
D G
12 3
1. Gate 2. |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |