|
AM29F100T-120SI даташитФункция этой детали – «1 Megabit (128 K X 8-bit/64 K X». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AM29F100T-120SI | AMD |
1 Megabit (128 K x 8-bit/64 K x 16-bit) CMOS 5.0 Volt-only/ Boot Sector Flash Memory FINAL
Am29F100
1 Megabit (128 K x 8-bit/64 K x 16-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
s Single power supply operation — 5.0 V ± 10% for read, erase, and program operations — Simplifies system-level power requirements s High performance — 70 ns maximum access time s Low power consumption — 20 mA typical active read current for byte mode — 28 mA typical active read current for word mode — 30 mA typical program/erase current — 25 µA typical standby current s Flexib |
|
AM29F100T-120SIB | AMD |
1 Megabit (128 K x 8-bit/64 K x 16-bit) CMOS 5.0 Volt-only/ Boot Sector Flash Memory |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |