|
AM29F040B-EC даташитФункция этой детали – «4 Megabit Cmos 5.0 Volt-only Sector Erase Flash». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AM29F040 | AMD |
4 Megabit CMOS 5.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory FINAL
Am29F040
4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
s 5.0 V ± 10% for read and write operations — Minimizes system level power requirements
s Compatible with JEDEC-standards — Pinout and software compatible with singlepower-supply Flash — Superior inadvertent write protection
s Package options — 32-pin PLCC — 32-pin TSOP — 32-pin PDIP
s Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed s High performance
— 55 ns maximum access time s Sector er |
|
AM29F040B | AMD |
4 Megabit CMOS 5.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory Am29F040B
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
s 5.0 V ± 10% for read and write operations — Minimizes system level power requirements
s Manufactured on 0.32 µm process technology — Compatible with 0.5 µm Am29F040 device
s High performance — Access times as fast as 55 ns
s Low power consumption — 20 mA typical active read current — 30 mA typical program/erase current — 1 µA typical standby current (standard access time to active mode)
s Fl |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |