DataSheet26.com


AM28F010A даташит

Функция этой детали – «1 Megabit (128 K X 8-bit) Cmos 12.0».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
AM28F010A Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

FINAL Am28F010A 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms DISTINCTIVE CHARACTERISTICS s High performance — Access times as fast as 70 ns s CMOS low power consumption — 30 mA maximum active current — 100 µA maximum standby current — No data retention power consumption s Compatible with JEDEC-standard byte-wide 32-pin EPROM pinouts — 32-pin PDIP — 32-pin PLCC — 32-pin TSOP s 100,000 write/erase cycles minimum s Write and erase voltage 12.0 V ±5% s Latch-up
pdf
AM28F010A-120EC Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

pdf
AM28F010A-120ECB Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

pdf
AM28F010A-120EE Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

pdf
AM28F010A-120EEB Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

pdf
AM28F010A-120EI Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

pdf
AM28F010A-120EIB Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

pdf
AM28F010A-120FC Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
  1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms

pdf

[1]    [2]    [3]    [4]    [5]    [6]    [7]    >>>.....[16] 



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты