|
AM28F010A даташитФункция этой детали – «1 Megabit (128 K X 8-bit) Cmos 12.0». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AM28F010A | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms FINAL
Am28F010A
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
s High performance — Access times as fast as 70 ns s CMOS low power consumption — 30 mA maximum active current — 100 µA maximum standby current — No data retention power consumption s Compatible with JEDEC-standard byte-wide 32-pin EPROM pinouts — 32-pin PDIP — 32-pin PLCC — 32-pin TSOP s 100,000 write/erase cycles minimum s Write and erase voltage 12.0 V ±5% s Latch-up |
|
AM28F010A-120EC | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
|
AM28F010A-120ECB | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
|
AM28F010A-120EE | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
|
AM28F010A-120EEB | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
|
AM28F010A-120EI | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
|
AM28F010A-120EIB | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
|
AM28F010A-120FC | Advanced Micro Devices |
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt/ Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |