|
AIC2309 даташитФункция этой детали – «1a Dual Synchronous Step-down Dc/dc Converter». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AIC2309 | Analog Intergrations Corporation |
1A Dual Synchronous Step-down DC/DC Converter AIC2309
1A Dual Synchronous Step-down DC/DC Converter
FEATURES
Dual 1A Output 2.5V to 5.5V Input Range Accurate Reference 0.6V Provides Low Out-
put Voltages Adjustable Output Voltage Up to 95% Efficiency Stable with Low ESR Output Ceramic Ca-
pacitors No Schottky Diode Required. 65µA Quiescent Current per Channel. 100% Duty Cycle in Low Dropout Operation. 1.5MHz Fixed-Frequency PWM Operation
APPLICATIONS
Digital Still Cameras Cellular Phones Wireless and DSL |
Это результат поиска, начинающийся с "2309", "AIC2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2309 | Central Semiconductor |
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)
TYPE NO. DESCRIPTION
VCBO (V)
2N1975 NPN AMPL/SWITCH 2N1983 NPN AMPL/SWITCH 2N1984 NPN AMPL/SWITCH 2N1985 NPN AMPL/SWITCH 2N1986 NPN AMPL/SWITCH 2N1987 NPN AMPL/SWITCH 2N1988 NPN AMPL/SWITCH 2N1989 NPN AMPL/SWITCH 2N1990 NPN AMPL |
|
2N2309 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 6-Pin Case U |
|
2SC2309 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial 2SC2309
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency amplifier
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SC2309
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collec |
|
AP2309AGN-HF | Advanced Power Electronics |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP2309AGN-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Simple Drive Requirement ▼ Small Package Outline ▼ Surface Mount Device ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
SOT-23 D
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
S G
-30V 75mΩ - 3.4A
Descri |
|
AP2309AGN-HF-3 | Advanced Power Electronics |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Advanced Power Electronics Corp.
AP2309AGN-HF-3
P-channel Enhancement-mode Power MOSFET
Simple Drive Requirement Low On-resistance Surface Mount Device RoHS-compliant, halogen-free
D
BV DSS
G S
-30V 75mΩ -3.4A
R DS(ON) ID
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC prov |
|
AP2309GN | Advanced Power Electronics |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP2309GN
Pb Free Plating Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Simple Drive Requirement ▼ Small Package Outline ▼ Surface Mount Device
S D
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
-30V 75mΩ - 3.7A
Description
SOT-23
G
D
The Advanced Power MOSF |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |