|
AGB3302 даташитФункция этой детали – «50 Ohm Hgih Linearity Low Noise Wideband Gain». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AGB3302 | ANADIGICS |
50 ohm HGIH LINEARITY LOW NOISE WIDEBAND GAIN BLOCK 50W High Linearity Low Noise Wideband Gain Block
Data Sheet - Rev 2.0
AGB3302
FEATURES
DC-5300 MHz Operation Bandwidth +36 dBm Output IP3 4.5 dB Noise Figure at 850 MHz 16 dB Gain at 850 MHz +18 dBm P1dB SOT-89 Package
Single +8 V to +12 V Supply Case Temperature: -40 to +85 °C
APPLICATIONS
Cellular Base Stations for W-CDMA, CDMA, TDMA, GSM, PCS and CDPD systems
Fixed Wireless MMDS/WLL WLAN, HyperLAN
S24 Package SOT-89
The AGB3302 is one of a series of high performance InGaP |
Это результат поиска, начинающийся с "3302", "AGB3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3302 | Motorola Semiconductors |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 2N3299
2N3300
CASE 79, STYLE 1
TO-39 (TO-205AD)
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
2N3301 2N3302
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage (Applicable to 10 mAdc)
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
Symbol VCEO
VCBO VEBO
ic
Value 30
60 |
|
2N3302 | New Jersey Semi-Conductor |
Transistor |
|
2N3302 | Central Semiconductor |
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued)
TYPE NO.
DESCRIPTION
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB (V) (V) (V) (µA) (V)
MIN MIN MIN MAX *ICES **ICEV
hFE @ IC @ VCE VCE (SAT) @ IC Cob fT NF ton (mA) (V) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns)
MIN MAX
MAX
MAX MIN MAX MAX
toff (ns)
MA |
|
2SC3302 | Toshiba Semiconductor |
TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION |
|
2SK3302 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK3302
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)
2SK3302
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 11.5 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 0.4 S (typ.) • Low |
|
3302 | VMI |
(3302x - 3310x) Three Phase Bridge
200 V - 1,000 V Three Phase Bridge
9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time
3302 - 3310 3302F - 3310F 3302UF - 3310UF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Part Number Working Reverse Voltage (Vrwm) Average Rectified Current @TC |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |