DataSheet26.com


AGB3302 даташит

Функция этой детали – «50 Ohm Hgih Linearity Low Noise Wideband Gain».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
AGB3302 ANADIGICS
ANADIGICS
  50 ohm HGIH LINEARITY LOW NOISE WIDEBAND GAIN BLOCK

50W High Linearity Low Noise Wideband Gain Block Data Sheet - Rev 2.0 AGB3302 FEATURES • • • • • • • • DC-5300 MHz Operation Bandwidth +36 dBm Output IP3 4.5 dB Noise Figure at 850 MHz 16 dB Gain at 850 MHz +18 dBm P1dB SOT-89 Package Single +8 V to +12 V Supply Case Temperature: -40 to +85 °C APPLICATIONS • • • • Cellular Base Stations for W-CDMA, CDMA, TDMA, GSM, PCS and CDPD systems Fixed Wireless MMDS/WLL WLAN, HyperLAN S24 Package SOT-89 The AGB3302 is one of a series of high performance InGaP
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3302", "AGB3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3302 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

2N3299 2N3300 CASE 79, STYLE 1 TO-39 (TO-205AD) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 2N3301 2N3302 MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage (Applicable to 10 mAdc) Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous Symbol VCEO VCBO VEBO ic Value 30 60
pdf
2N3302 New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor

Transistor

pdf
2N3302 Central Semiconductor
Central Semiconductor

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB (V) (V) (V) (µA) (V) MIN MIN MIN MAX *ICES **ICEV hFE @ IC @ VCE VCE (SAT) @ IC Cob fT NF ton (mA) (V) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns) MIN MAX MAX MAX MIN MAX MAX toff (ns) MA
pdf
2SC3302 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

pdf
2SK3302 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK3302 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV) 2SK3302 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit: mm • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 11.5 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 0.4 S (typ.) • Low
pdf
3302 VMI
VMI

(3302x - 3310x) Three Phase Bridge

200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 3302 - 3310 3302F - 3310F 3302UF - 3310UF ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS Part Number Working Reverse Voltage (Vrwm) Average Rectified Current @TC
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты