|
AD8313 даташитФункция этой детали – «LogarithmIC Detector/controller». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AD8313 | Analog Devices |
Logarithmic Detector/Controller Data Sheet
0.1 GHz to 2.5 GHz 70 dB Logarithmic Detector/Controller
AD8313
01085-C-001
FEATURES
Wide bandwidth: 0.1 GHz to 2.5 GHz min High dynamic range: 70 dB to ±3.0 dB High accuracy: ±1.0 dB over 65 dB range (@ 1.9 GHz) Fast response: 40 ns full-scale typical Controller mode with error output Scaling stable over supply and temperature Wide supply range: 2.7 V to 5.5 V Low power: 40 mW at 3 V Power-down feature: 60 mW at 3 V Complete and easy to use
APPLICATIONS
RF transmitter power amplifier setpoint control an |
Это результат поиска, начинающийся с "8313", "AD8" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
828313120000x | Kyocera |
(8283 Series) Plug Straight w
w
w
.D
at aS
he
et 4U .c
om
|
|
AM83135-001 | STMicroelectronics |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS AM83135-001
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS
. . . . . . . .
REFRACTORY/GOLD METALL IZATION EMITTER SITE BALLASTED 10:1 VSWR CAPABILITY LOW THERMAL RESISTANCE INPUT/OUTPUT MATCHING OVERLAY GEOMETRY METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE POUT = 1.0 W MIN. WITH 5.2 dB |
|
AM83135-005 | STMicroelectronics |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS AM83135-005
. . . . . . . .
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS
REFRACTORY/GOLD METALL IZATION EMITTER SITE BALLASTED 5:1 VSWR CAPABILITY LOW THERMAL RESISTANCE INPUT/OUTPUT MATCHING OVERLAY GEOMETRY METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE POUT = 5.0 W MIN. WITH 5.2 dB |
|
AM83135-010 | STMicroelectronics |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS AM83135-010
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS
. . . . . . .
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION EMITTER SITE BALLASTED LOW THERMAL RESISTANCE INPUT/OUTPUT MATCHING OVERLAY GEOMETRY METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE P OUT = 10 W MIN. WITH 5.0 dB GAIN
.310 x .310 2LFL |
|
AM83135-015 | STMicroelectronics |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS AM83135-015
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS
. . . . . . .
PRELIMINARY DATA
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION EMITTER SITE BALLASTED LOW THERMAL RESISTANCE INPUT/OUTPUT MATCHING OVERLAY GEOMETRY METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE POUT = 15 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN
|
|
AM83135-030 | STMicroelectronics |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS AM83135-030
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS
. . . . . . .
PRELIMINARY DATA
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION EMITTER SITE BALLASTED LOW THERMAL RESISTANCE INPUT/OUTPUT MATCHING OVERLAY GEOMETRY METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE POUT = 30 W MIN. WITH 5.5 dB GAIN
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |