|
AD408M91RPA-5 даташитФункция этой детали – «Cmos DynamIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AD408M91RPA-5 | ETC |
CMOS Dynamic RAM ASCEND Semiconductor 4Mx4 EDO Data sheet
Rev.1
Page 1
AD 40 4M 4 2 V S A – 5
Ascend Semiconductor
EDO/FPM D-RAMBUS DDRSDRAM DDRSGRAM SGRAM SDRAM
: : : : : :
40 41 42 43 46 48
Density 16M : 16 Mega Bits 8M : 8 Mega Bits 4M : 4 Mega Bits 2M : 2 Mega Bits 1M : 1 Mega Bit Organization 4: x4 8 : x8 9 : x9 16 : x16 18 : x18 32 : x32 Refresh 1 : 1K 8 : 8K 2 : 2K 6 :16K 4 : 4K
Min Cycle Time ( Max Freq.) -5 : 5ns ( 200MHz ) -6 : 6ns ( 167MHz ) -7 : 7ns ( 143MHz ) -75 : 7.5ns ( 133MHz ) -8 : 8ns ( 125MHz ) -10 : 10ns ( |
Это результат поиска, начинающийся с "408M91RPA", "AD408M91RP" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AD408M91RPB-5 | ETC |
CMOS Dynamic RAM ASCEND Semiconductor 4Mx4 EDO Data sheet
Rev.1
Page 1
AD 40 4M 4 2 V S A – 5
Ascend Semiconductor
EDO/FPM D-RAMBUS DDRSDRAM DDRSGRAM SGRAM SDRAM
: : : : : :
40 41 42 43 46 48
Density 16M : 16 Mega Bits 8M : 8 Mega Bits 4M : 4 Mega Bits 2M : 2 Mega Bits 1M : 1 Mega Bit Or |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |