|
90MT140KB даташитФункция этой детали – «Three Phase Bridge». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
90MT140KB | International Rectifier |
THREE PHASE BRIDGE Bulletin I27501 rev. A 05/03
MT..KB SERIES
THREE PHASE BRIDGE Power Modules
Features
Package fully compatible with the industry standard INT-Apak power modules series High thermal conductivity package, electrically insulated case Outstanding number of power encapsulated components Excellent power volume ratio, outline for easy connections to power transistor and IGBT modules 4000 VRMS isolating voltage UL E78996 approved
90 A 110 A
Description
A range of extremely compact, encapsulated three phase bridge rectifiers |
Это результат поиска, начинающийся с "90MT140KB", "90MT14" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
90MT140K | International Rectifier |
THREE PHASE BRIDGE Bulletin I27501 rev. A 05/03
MT..KB SERIES
THREE PHASE BRIDGE Power Modules
Features
Package fully compatible with the industry standard INT-Apak power modules series High thermal conductivity package, electrically insulated case Outstanding number of power encapsulated compone |
|
90MT140K | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
SUM90140E | Vishay |
N-Channel MOSFET www.vishay.com
SUM90140E
Vishay Siliconix
N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) () MAX.
0.017 at VGS = 10 V 200
0.018 at VGS = 7.5 V
ID (A) 90 88
Qg (TYP.) 64 nC
TO-263
Top View
S D G
Ordering Information: SUM90140E-GE3 (lead (Pb)-fre |
|
SUP90140E | Vishay |
N-Channel MOSFET www.vishay.com
SUP90140E
Vishay Siliconix
N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) () MAX.
0.017 at VGS = 10 V 200
0.018 at VGS = 7.5 V
TO-220AB
ID (A) 90 88
Qg (TYP.) 64 nC
Top View
S D G
Ordering Information: SUP90140E-GE3 (lead (Pb)-f |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |