|
74HC00 даташитФункция этой детали – «Quadruple 2-input Nand Gates». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
74HC00 | Philips |
Quad 2-input NAND gate INTEGRATED CIRCUITS
DATA SHEET
74HC00; 74HCT00 Quad 2-input NAND gate
Product specification Supersedes data of 1997 Aug 26 2003 Jun 30
Philips Semiconductors
Product specification
Quad 2-input NAND gate
FEATURES • Complies with JEDEC standard no. 8-1A • ESD protection: HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000 V MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V • Specified from −40 to +85 °C and −40 to +125 °C. QUICK REFERENCE DATA GND = 0 V; Tamb = 25 °C; tr = tf = 6 ns. DESCRIPTION
74HC00; 74HCT00
The 74HC00/74HCT00 a |
|
74HC00 | NXP Semiconductors |
Quad 2-input NAND gate 74HC00; 74HCT00
Quad 2-input NAND gate
Rev. 7 — 25 November 2015
Product data sheet
1. General description
The 74HC00; 74HCT00 is a quad 2-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of VCC.
2. Features and benefits
Input levels: For 74HC00: CMOS level For 74HCT00: TTL level
Complies with JEDEC standard no. 7A ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V Mu |
|
74HC00 | Diodes |
QUADRUPLE 2-INPUT NAND GATES NEW PRODUCT
74HC00
QUADRUPLE 2-INPUT NAND GATES
Description
The 74HC00 provides provides four independent 2-input NAND gates with standard push-pull outputs. The device is designed for operation with a power supply range of 2.0V to 6.0V.
The gates perform the Boolean function:
Pin Assignments
Y = A • B or Y = A + B
Features
• Wide Supply Voltage Range from 2.0V to 6.0V • Sinks or Sources 4mA at VCC = 4.5V • CMOS Low Power Consumption • Schmitt Trigger Action at All Inputs • ESD Protection Exceeds JESD 2 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |