DataSheet26.com


74HC00 даташит

Функция этой детали – «Quadruple 2-input Nand Gates».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
74HC00 Philips
Philips
  Quad 2-input NAND gate

INTEGRATED CIRCUITS DATA SHEET 74HC00; 74HCT00 Quad 2-input NAND gate Product specification Supersedes data of 1997 Aug 26 2003 Jun 30 Philips Semiconductors Product specification Quad 2-input NAND gate FEATURES • Complies with JEDEC standard no. 8-1A • ESD protection: HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000 V MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V • Specified from −40 to +85 °C and −40 to +125 °C. QUICK REFERENCE DATA GND = 0 V; Tamb = 25 °C; tr = tf = 6 ns. DESCRIPTION 74HC00; 74HCT00 The 74HC00/74HCT00 a
pdf
74HC00 NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
  Quad 2-input NAND gate

74HC00; 74HCT00 Quad 2-input NAND gate Rev. 7 — 25 November 2015 Product data sheet 1. General description The 74HC00; 74HCT00 is a quad 2-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of VCC. 2. Features and benefits  Input levels:  For 74HC00: CMOS level  For 74HCT00: TTL level  Complies with JEDEC standard no. 7A  ESD protection:  HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V  MM JESD22-A115-A exceeds 200 V  Mu
pdf
74HC00 Diodes
Diodes
  QUADRUPLE 2-INPUT NAND GATES

NEW PRODUCT 74HC00 QUADRUPLE 2-INPUT NAND GATES Description The 74HC00 provides provides four independent 2-input NAND gates with standard push-pull outputs. The device is designed for operation with a power supply range of 2.0V to 6.0V. The gates perform the Boolean function: Pin Assignments Y = A • B or Y = A + B Features • Wide Supply Voltage Range from 2.0V to 6.0V • Sinks or Sources 4mA at VCC = 4.5V • CMOS Low Power Consumption • Schmitt Trigger Action at All Inputs • ESD Protection Exceeds JESD 2
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты