DataSheet26.com


628512LP даташит

Функция этой детали – « Hm628512lp».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
628512LP Hitachi
Hitachi
   HM628512LP

HM628512 Series 524288-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM ADE-203-236F (Z) Rev. 6.0 Jun. 9, 1995 Description The Hitachi HM628512 is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes igher density, higher performance and low power consumption by employing 0.5 µm Hi-CMOS process technology. The device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II or 600-mil plastic DIP, is available for high density mounting. LP-version is suitable for battery backup
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "628512LP", "62851"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
HM628512 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

HM628512B Series 4 M SRAM (512-kword × 8-bit) ADE-203-903D (Z) Rev. 3.0 Aug. 24, 1999 Description The Hitachi HM628512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS pr
pdf
HM628512A Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

4M SRAM (512 KWORD X 8 BIT)

pdf
HM628512AI Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

524288 x 8-Bit High Speed CMOS SRAM

pdf
HM628512ALFPI Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

524288 x 8-Bit High Speed CMOS SRAM

pdf
HM628512B Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

HM628512B Series 4 M SRAM (512-kword × 8-bit) ADE-203-903D (Z) Rev. 3.0 Aug. 24, 1999 Description The Hitachi HM628512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS pr
pdf
HM628512BFP Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

HM628512BFP Series 4 M SRAM (512-kword × 8-bit) ADE-203-1078B (Z) Rev. 2.0 Nov. 23, 1999 Description The Hitachi HM628512BFP is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing Hi-CMOS proces
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты