|
628512LP даташитФункция этой детали – « Hm628512lp». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
628512LP | Hitachi |
HM628512LP HM628512 Series
524288-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM
ADE-203-236F (Z) Rev. 6.0 Jun. 9, 1995
Description
The Hitachi HM628512 is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes igher density, higher performance and low power consumption by employing 0.5 µm Hi-CMOS process technology. The device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II or 600-mil plastic DIP, is available for high density mounting. LP-version is suitable for battery backup |
Это результат поиска, начинающийся с "628512LP", "62851" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HM628512 | Hitachi Semiconductor |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) HM628512B Series
4 M SRAM (512-kword × 8-bit)
ADE-203-903D (Z) Rev. 3.0 Aug. 24, 1999 Description
The Hitachi HM628512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS pr |
|
HM628512A | Hitachi Semiconductor |
4M SRAM (512 KWORD X 8 BIT) |
|
HM628512AI | Hitachi Semiconductor |
524288 x 8-Bit High Speed CMOS SRAM |
|
HM628512ALFPI | Hitachi Semiconductor |
524288 x 8-Bit High Speed CMOS SRAM |
|
HM628512B | Hitachi Semiconductor |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) HM628512B Series
4 M SRAM (512-kword × 8-bit)
ADE-203-903D (Z) Rev. 3.0 Aug. 24, 1999 Description
The Hitachi HM628512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS pr |
|
HM628512BFP | Hitachi Semiconductor |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) HM628512BFP Series
4 M SRAM (512-kword × 8-bit)
ADE-203-1078B (Z) Rev. 2.0 Nov. 23, 1999 Description
The Hitachi HM628512BFP is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density, higher performance and low power consumption by employing Hi-CMOS proces |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |