|
50N06B даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
50N06B | CHONGQING PINGYANG |
N-CHANNEL MOSFET 50N06(F,B,H)
50A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET
FEATURE
50A,60V,RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V/25A Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability
TO-220AB 50N06
ITO-220AB 50N06F
TO-263 50N06B
TO-262 50N06H
Absolute Maximum Ratings(TC=25℃,unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current(Note1) Single Pulse Avalanche Energy (Note 2) Avalanche Current(Note1) Repetitive Avalanche |
Это результат поиска, начинающийся с "50N06B", "50N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
CMD50N06B | Cmos |
N-Channel 60V MOSFET CMD50N06B/CMU50N06B
N-Channel 60V MOSFET
General Description
The 50N06B combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industr |
|
CMU50N06B | Cmos |
N-Channel 60V MOSFET CMD50N06B/CMU50N06B
N-Channel 60V MOSFET
General Description
The 50N06B combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industr |
|
05006GOF | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
05006GOF | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0505J1500680JQT | Syfer Technology |
High Q capacitors [email protected] www.syfer.com
High Q capacitors
MS range
+44 1603 723310 +44 1603 723301
The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te |
|
0805J2500680JQT | Syfer Technology |
High Q capacitors [email protected] www.syfer.com
High Q capacitors
MS range
+44 1603 723310 +44 1603 723301
The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |