DataSheet26.com


50FXFH13 даташит

Функция этой детали – «Fast Recovery Diode (high Speed Rectifier ApplICations)».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
50FXFH13 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  FAST RECOVERY DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS)

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "50FXFH13", "50FXF"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5013A New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor

(1N5008A - 1N5042A) DIODE

Free Datasheet http:///
pdf
2N5013 ETC
ETC

0.5AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 450 VOLTS

pdf
2N5013 Seme LAB
Seme LAB

Bipolar NPN Device

2N5013 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 800V
pdf
2N5013 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 800V 0.5A 3-Pin TO-39

pdf
2SC5013 NEC
NEC

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5013 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 10 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 0.3 +0.1 –0.05 P
pdf
2SC5013-T1 NEC
NEC

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5013 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 10 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 0.3 +0.1 –0.05 P
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты