|
5.0SMLJ30A даташитФункция этой детали – «Tvs Diode, Smd (transient Voltage Suppressor)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
5.0SMLJ30A | MDE |
TVS Diode, SMD (Transient Voltage Suppressor) MDE Semiconductor, Inc.
78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel : 760-564-8656 • Fax : 760-564-2414 1-800-831-4881 Email: [email protected] Web: www.mdesemiconductor.com
5.0 SMLJ SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-12 TO 170 Volts 5000 Watt Peak Pulse Power
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Halogen-Free • Typical maximum temperature coefficent
ᇞVBR=0.1%xVBR@25ԨxᇞT • Low profile package • Built-in strain r |
Это результат поиска, начинающийся с "5.0SMLJ30A", "5.0SMLJ" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
0895030 | Littelfuse |
Fuses Cartridge Fuses
Low Profile JCASE® Fuses Rated 58V
Specifications
Voltage Rating: Interrupting Rating: Operating Temperature Range: Insertion Force: Extraction Force: Packaging:
58 VDC 1000A @ 58 VDC -40˚C to + 125˚C 53N Max. (12 lb.) 9N Min (2 lb.)
Series |
|
1N5030 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 30V 5% 3W 2-Pin Case A |
|
1N5030A | New Jersey Semi-Conductor |
(1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:///
|
|
1N5030A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 30V 5% 3W 2-Pin Case A |
|
2SB035030MLJY | Silan Microelectronics |
2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035030MLJY
2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB035030MLJY is a schottky barrier diode chips
Lb La
fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; Hi |
|
2SC5030 | Toshiba Semiconductor |
NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH/ MUDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 2SC5030
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5030
Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications
Unit: mm
• • •
High DC current gain : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (min) (VCE = 2 V, IC = 4 A) Low saturation volt |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |