DataSheet26.com


5.0SMLJ30A даташит

Функция этой детали – «Tvs Diode, Smd (transient Voltage Suppressor)».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
5.0SMLJ30A MDE
MDE
  TVS Diode, SMD (Transient Voltage Suppressor)

MDE Semiconductor, Inc. 78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel : 760-564-8656 • Fax : 760-564-2414 1-800-831-4881 Email: [email protected] Web: www.mdesemiconductor.com 5.0 SMLJ SERIES SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-12 TO 170 Volts 5000 Watt Peak Pulse Power FEATURES • For surface mounted applications in order to optimize board space • Halogen-Free • Typical maximum temperature coefficent ᇞVBR=0.1%xVBR@25ԨxᇞT • Low profile package • Built-in strain r
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5.0SMLJ30A", "5.0SMLJ"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
0895030 Littelfuse
Littelfuse

Fuses

Cartridge Fuses Low Profile JCASE® Fuses Rated 58V Specifications Voltage Rating: Interrupting Rating: Operating Temperature Range: Insertion Force: Extraction Force: Packaging: 58 VDC 1000A @ 58 VDC -40˚C to + 125˚C 53N Max. (12 lb.) 9N Min (2 lb.) Series
pdf
1N5030 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 30V 5% 3W 2-Pin Case A

pdf
1N5030A New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor

(1N5008A - 1N5042A) DIODE

Free Datasheet http:///
pdf
1N5030A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 30V 5% 3W 2-Pin Case A

pdf
2SB035030MLJY Silan Microelectronics
Silan Microelectronics

2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

2SB035030MLJY 2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035030MLJY is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; Hi
pdf
2SC5030 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH/ MUDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC5030 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5030 Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications Unit: mm • • • High DC current gain : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (min) (VCE = 2 V, IC = 4 A) Low saturation volt
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты