|
5.0SMLJ15CA даташитФункция этой детали – «Tvs Diode, Smd (transient Voltage Suppressor)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
5.0SMLJ15CA | MDE |
TVS Diode, SMD (Transient Voltage Suppressor) MDE Semiconductor, Inc.
78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel : 760-564-8656 • Fax : 760-564-2414 1-800-831-4881 Email: [email protected] Web: www.mdesemiconductor.com
5.0 SMLJ SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-12 TO 170 Volts 5000 Watt Peak Pulse Power
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Halogen-Free • Typical maximum temperature coefficent
ᇞVBR=0.1%xVBR@25ԨxᇞT • Low profile package • Built-in strain r |
Это результат поиска, начинающийся с "5.0SMLJ15CA", "5.0SMLJ1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5015A | New Jersey Semi-Conductor |
(1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:///
|
|
2N5015 | ETC |
0.5AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 450 VOLTS |
|
2N5015 | Seme LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 2N5015
Dimensions in mm (inches).
8.51 (0.34) 9.40 (0.37)
7.75 (0.305) 8.51 (0.335)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device.
6.10 (0.240) 6.60 (0.260)
12.70 (0.500) min.
0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia.
VCEO = 1000 |
|
2N5015 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 1KV 0.5A 3-Pin TO-39 |
|
2SC5015 | NEC |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC5015
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
FEATURES
• Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation
PACKAGE DIMENSIONS |
|
2SC5015 | CEL |
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR DATA SHEET
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD (18)
NE68518 / 2SC5015
NPN SILICON RF TRANSISTOR
FEATURES
• High fT: fT = 12 GHz TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz • Low voltage operation • Low noise a |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |