DataSheet26.com


5.0SMLJ15CA даташит

Функция этой детали – «Tvs Diode, Smd (transient Voltage Suppressor)».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
5.0SMLJ15CA MDE
MDE
  TVS Diode, SMD (Transient Voltage Suppressor)

MDE Semiconductor, Inc. 78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel : 760-564-8656 • Fax : 760-564-2414 1-800-831-4881 Email: [email protected] Web: www.mdesemiconductor.com 5.0 SMLJ SERIES SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-12 TO 170 Volts 5000 Watt Peak Pulse Power FEATURES • For surface mounted applications in order to optimize board space • Halogen-Free • Typical maximum temperature coefficent ᇞVBR=0.1%xVBR@25ԨxᇞT • Low profile package • Built-in strain r
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5.0SMLJ15CA", "5.0SMLJ1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5015A New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor

(1N5008A - 1N5042A) DIODE

Free Datasheet http:///
pdf
2N5015 ETC
ETC

0.5AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 450 VOLTS

pdf
2N5015 Seme LAB
Seme LAB

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

2N5015 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 1000
pdf
2N5015 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 1KV 0.5A 3-Pin TO-39

pdf
2SC5015 NEC
NEC

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5015 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation PACKAGE DIMENSIONS
pdf
2SC5015 CEL
CEL

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR

DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD (18) NE68518 / 2SC5015 NPN SILICON RF TRANSISTOR FEATURES • High fT: fT = 12 GHz TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz • Low voltage operation • Low noise a
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты