|
5.0SMDJ18CA даташитФункция этой детали – «Diode ( Transient Voltage Suppression )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
5.0SMDJ18CA | Littelfuse |
Diode ( Transient Voltage Suppression ) 5.0SMDJ Series
Transient Voltage Suppression Diodes
Surface Mount – 5000W > 5.0SMDJ series
5.0SMDJ Series
RoHS Pb
Agency Approvals
AGENCY
AGENCY FILE NUMBER E230531
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA=25OC unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Peak Pulse Power Dissipation at
T(FAi=g2.15)O(NCobtey
10x1000µs waveform 1), (Note 2)
PPPM
Power Dissipation on infinite heat sink at TA=50OC Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine Wave (Note 3) Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1 |
Это результат поиска, начинающийся с "5.0SMDJ18CA", "5.0SMDJ1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5018A | New Jersey Semi-Conductor |
(1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:///
|
|
2N5018 | Linear Integrated Systems |
SINGLE P-CHANNEL JFET SWITCH 2N5018 SERIES
Linear Integrated Systems
FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N5018 ZERO OFFSET VOLTAGE LOW ON RESISTANCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 @ 25 °C (unless otherwise stated) Maximum Temperatures Storage Temperature Junction Operating Temperature Maximum Power Dissip |
|
2N5018 | Taitron Components |
(2N5xxx) JFET N-Channel Metal Can JFET’s
Part No. BVGSS Min. (V) VP Min. (V) @ Max. (V) (V) VD S &
2N5432 2N5433 2N5434 25
4.0 3.0 1.0
10.0
Part No.
w
w
2N3684 2N3686 2N3822
w
.D
BV GSS Min. (V) 50 50 50 40 35 30 30 30 25
at
h S a
(V) 2.0 0.6 1.0 2.5 2.5 4.0 2.0 1.0
ee
9.0 4.0
|
|
2N5018 | Micross |
Switching 2N5018 P-CHANNEL JFET
Linear Systems replaces discontinued Siliconix 2N5018
The 2N5018 is a single P-Channel JFET switch
This p-channel analog switch is designed to provide low on-resistance and fast switching. The hermetically sealed TO-18 package is well suited for hi-reliabil |
|
2N5018 | New Jersey Semiconductor |
TRANS JFET P-CH 10MA 3TO-18 |
|
2SC5018 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage high-speed switching) Transistor
2SC5018
Silicon NPN triple diffusion planer type
For high breakdown voltage high-speed switching
Unit: mm
6.9±0.1
0.15
1.05 2.5±0.1 ±0.05
(1.45) 0.8
0.5 4.5±0.1
0.7
4.0
s Features
q q
0.65 max.
1.0 1.0
High collector to base voltage VCBO. High emitter to b |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |