|
4435GM-HF даташитФункция этой детали – « Ap4435gm-hf». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
4435GM-HF | Advanced Power Electronics |
AP4435GM-HF AP4435GM-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching Characteristic ▼ RoHS Compliant
SO-8
S S D D D D
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
S G
-30V 20mΩ -9A
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mou |
Это результат поиска, начинающийся с "4435GM", "4435GM" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AP4435GM | Advanced Power Electronics |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP4435GM
Pb Free Plating Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching
D D D D
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
G S
-30V 20mΩ -8A
SO-8
S
S
Description
The Advanced Power MOSFETs from |
|
AP4435GM-HF | Advanced Power Electronics |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP4435GM-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching Characteristic ▼ RoHS Compliant
SO-8
S S D D D D
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
S G
-30V 20mΩ -9A
Description
|
|
AP4435GM-HF-3 | Advanced Power Electronics |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GM-HF-3
P-channel Enhancement-mode Power MOSFET
Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Performance RoHS-compliant, Halogen-free
D
BV DSS RDS(ON)
G S
-30V 20mΩ -9 A
ID
Description
D
Advanced Power MOSFETs from APE |
|
1N4435 | New Jersey Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A |
|
1N4435A | New Jersey Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A |
|
1N4435B | New Jersey Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |