DataSheet26.com


4435GM-HF даташит

Функция этой детали – « Ap4435gm-hf».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
4435GM-HF Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics
   AP4435GM-HF

AP4435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching Characteristic ▼ RoHS Compliant SO-8 S S D D D D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID S G -30V 20mΩ -9A Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mou
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "4435GM", "4435GM"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
AP4435GM Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

AP4435GM Pb Free Plating Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching D D D D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID G S -30V 20mΩ -8A SO-8 S S Description The Advanced Power MOSFETs from
pdf
AP4435GM-HF Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

AP4435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching Characteristic ▼ RoHS Compliant SO-8 S S D D D D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID S G -30V 20mΩ -9A Description
pdf
AP4435GM-HF-3 Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Advanced Power Electronics Corp. AP4435GM-HF-3 P-channel Enhancement-mode Power MOSFET Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Performance RoHS-compliant, Halogen-free D BV DSS RDS(ON) G S -30V 20mΩ -9 A ID Description D Advanced Power MOSFETs from APE
pdf
1N4435 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A

pdf
1N4435A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A

pdf
1N4435B New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты