DataSheet26.com


4.3BSB даташит

Функция этой детали – «SilICon Planar Zener Diode».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
4.3BSB Semtech Corporation
Semtech Corporation
  SILICON PLANAR ZENER DIODE

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "4.3BSB", "4.3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
02CZ43 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATIONS. REFERENCE VOLTAGE APPLICATIONS.)

pdf
02CZ43 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATIONS. REFERENCE VOLTAGE APPLICATIONS.)

pdf
0402HP-43NX Coilcraft
Coilcraft

Chip Inductors

Document 526 -1 Chip Inductors - 0402HP Series (1005) • • • • Higher Q and lower DCR than other 0402 inductors Very high SRF values – as high as 16 GHz Excellent current handling capability – up to 2300 mA 52 inductance values from 1.0 to 220 nH B overall F A G F E t
pdf
05D431K TYEE
TYEE

Varistor

Varistor Specification TYEE Varistor Varistor are voltage dependent, nonlinear device which have an electrical behavior similar to back-to-back zener diodes. TYEE series zinc oxide varistor are nonlinear resistors, consisting main of zinc oxide and several kinds of metal oxide ad
pdf
07D431K TYEE
TYEE

Varistor

Varistor Specification TYEE Varistor Varistor are voltage dependent, nonlinear device which have an electrical behavior similar to back-to-back zener diodes. TYEE series zinc oxide varistor are nonlinear resistors, consisting main of zinc oxide and several kinds of metal oxide ad
pdf
0805CS-430E DELTA
DELTA

WIRE-WOUND CHIP INDUCTOR

1. Part Description 1.1 Part Numbering (Example) ( Ex. ) 0805 C S - 120 E J T S SIZE. 0402 1.0 * 0.5 mm 0603 1.6 * 0.8 mm 0805 2.0 * 1.2 mm 1008 2.5 * 2.0 mm 1206 3.2 * 1.6 mm 1210 3.2 * 2.5 mm SHAPE. C : C SHAPE H : H SHAPE M : MOLDING PROFILE. S: STANDARD T: LOW PROFILE Q:H
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты