|
3DD13009 даташит PDFЭто SilICon NPN Triple Diffusion Type Bipolar Transistor. На странице результатов поиска 3DD13009 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 3DD13009 |  LGE |
NPN Transistor 3DD13009(NPN)
TO-220 Transistor
1. BASE
TO-220
2. COLLECTOR
Features
3 2 1
power switching applications
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
Value 700 400
9 12 2 150 -55-150
Units V V V A W ℃ ℃
Dimensions in inches and (millimeters)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb |
 |
| 3DD13009 |  ETC |
Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor 1
3DD13009 NPN
3DD13009
2
2.1
2.2
TO-220F
Tamb= 25
-
Ta=25 Tc=25
VCE0 VCB0 VEB0
IC
Ptot
Tj Tstg
400 700 9 12 2 100 150 -55 150
V V V A
W
Tamb= 25
10.4max 3.2
2.7max
4.8max
2.7 15.5max
1.2
0.6
2.54 2.54 BCE
12.7min
2.3 0.6
- ICB0 VCB=700V, IE=0 - IEB0 VEB=9V, IC=0
0.1 mA 0.1 mA
hFEa VCE=5V, IC=3A
8
40
hFE1 hFE2
-
-
hFE1/
hFE2
VCE
a sat
VBE
a sat
hFE1 VCE=5V,IC=5mA hFE2 VCE=5V,IC=3A IC=8A, IB=1.6A IC=8A, IB=1.6A
0.75
0.9
1.5 1.6
V V
tf VCC=125V, IC=8A ts IB1=-IB2=1.6A
0.9 s 4s
fT
VCE=1 |
|
| 3DD13009 |  Dayan Technology |
NPN Transistor Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen
1. NPN
3DD13009
2. TO-220 3.
4. Ta=25
VCBO
VCEO
VEBO
IC
T a=25
PC
T c=25
Tj
Tstg
5 Ta=25
700 400
9 12 3.0 100 150 -55~150
V V V A W W
B VCBO B VCEO B VEBO ICBO ICEO IEBO VCE sat
VBEsat hFE tf ts fT
Mi Ma
nx
IC= 1mA IE=0
700
V
IC= 10 mA IB=0
400
V
IE=1mA IC=0 VCB= 680 V IE=0
9 5
V µA
VCE=390V IB=0
5 µA
VEB=9V IC=0
5 µA
IC= 8A
IB=1.6A
1.5 V
IC= 12 A
IB=3 A
2.8 V
IC= 5A
IB=1 A
1.5 V
VCE= 5V IC=5A
15 30 5
IC= 0.5A IB1= -IB2 =0. 1A
0. |
|
| 3DD13009-A9 | ETC |
Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor 产品概述
3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 结构和少子寿命控制技术， 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 A9
○R
产品特点
● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高
应用
● 计算机电源 ● 大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO IC
Ptot（TC=25℃）
400 12 100
V A |
|
| 3DD13009A8 |  Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 结构和少子寿命控制技术， 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 A8
○R
产品特点
● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高
应用
● 计算机电源 ● 大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO IC
Ptot（TC=25℃）
400 12 100
V A |
|
| 3DD13009AN | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 AN 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 结构和少子寿命控制技术， 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 AN
○R
产品特点
● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高
应用
● 计算机电源 ● 大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO IC
Ptot（TC=25℃）
400 12 120
V A |
|
| 3DD13009C8 | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 C8 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 结构和少子寿命控制技术， 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 C8
○R
产品特点
● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 合适的开关速度 ● 可靠性高
应用
● 电子节能灯 ● 电子镇流器 ● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO IC
Ptot（TC=25 |
|
| 3DD13009K |  JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD13009K
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IC VCEO PC(TO-220C) PC(TO-3PB)
12A 400V 100W 120W
用途
z 节能灯 z 电子镇流器 z 高频开关电源 z 高频功率变换 z 一般功率放大电路
APPLICATIONS
z Energy-saving light z Electronic ballasts z High frequency switching power
supply z High frequency power transform z Commonly power amplifier
产品特性
z高耐压 z高电流容量 z高开关速度 z |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 |
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |