DataSheet26.com


3DD13009 даташит PDF

Это SilICon NPN Triple Diffusion Type Bipolar Transistor. На странице результатов поиска 3DD13009 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
3DD13009 LGE
LGE
  NPN Transistor

3DD13009(NPN) TO-220 Transistor 1. BASE TO-220 2. COLLECTOR Features 3 2 1 — power switching applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value 700 400 9 12 2 150 -55-150 Units V V V A W ℃ ℃ Dimensions in inches and (millimeters) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb
pdf
3DD13009 ETC
ETC
  Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

1 3DD13009 NPN 3DD13009 2 2.1 2.2 TO-220F Tamb= 25 - Ta=25 Tc=25 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 400 700 9 12 2 100 150 -55 150 V V V A W Tamb= 25 10.4max 3.2 2.7max 4.8max 2.7 15.5max 1.2 0.6 2.54 2.54 BCE 12.7min 2.3 0.6 - ICB0 VCB=700V, IE=0 - IEB0 VEB=9V, IC=0 0.1 mA 0.1 mA hFEa VCE=5V, IC=3A 8 40 hFE1 hFE2 - - hFE1/ hFE2 VCE a sat VBE a sat hFE1 VCE=5V,IC=5mA hFE2 VCE=5V,IC=3A IC=8A, IB=1.6A IC=8A, IB=1.6A 0.75 0.9 1.5 1.6 V V tf VCC=125V, IC=8A ts IB1=-IB2=1.6A 0.9 s 4s fT VCE=1
pdf
3DD13009 Dayan Technology
Dayan Technology
  NPN Transistor

Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen 1. NPN 3DD13009 2. TO-220 3. 4. Ta=25 VCBO VCEO VEBO IC T a=25 PC T c=25 Tj Tstg 5 Ta=25 700 400 9 12 3.0 100 150 -55~150 V V V A W W B VCBO B VCEO B VEBO ICBO ICEO IEBO VCE sat VBEsat hFE tf ts fT Mi Ma nx IC= 1mA IE=0 700 V IC= 10 mA IB=0 400 V IE=1mA IC=0 VCB= 680 V IE=0 9 5 V µA VCE=390V IB=0 5 µA VEB=9V IC=0 5 µA IC= 8A IB=1.6A 1.5 V IC= 12 A IB=3 A 2.8 V IC= 5A IB=1 A 1.5 V VCE= 5V IC=5A 15 30 5 IC= 0.5A IB1= -IB2 =0. 1A 0.
pdf
3DD13009-A9 ETC
ETC
  Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

产品概述 3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A9 ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高 应用 ● 计算机电源 ● 大功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 12 100 V A
pdf
3DD13009A8 Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
  Silicon NPN Transistor

产品概述 3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A8 ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高 应用 ● 计算机电源 ● 大功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 12 100 V A
pdf
3DD13009AN Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
  Silicon NPN Transistor

产品概述 3DD13009 AN 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 AN ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高 应用 ● 计算机电源 ● 大功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 12 120 V A
pdf
3DD13009C8 Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
  Silicon NPN Transistor

产品概述 3DD13009 C8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 C8 ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 合适的开关速度 ● 可靠性高 应用 ● 电子节能灯 ● 电子镇流器 ● 一般功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25
pdf
3DD13009K JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13009K 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCEO PC(TO-220C) PC(TO-3PB) 12A 400V 100W 120W 用途 z 节能灯 z 电子镇流器 z 高频开关电源 z 高频功率变换 z 一般功率放大电路 APPLICATIONS z Energy-saving light z Electronic ballasts z High frequency switching power supply z High frequency power transform z Commonly power amplifier 产品特性 z高耐压 z高电流容量 z高开关速度 z
pdf

[1]   [2]   





Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L  

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты