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3DD13009 даташит ( Даташиты, Даташиты )

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12 3DD13009   NPN Transistor

3DD13009(NPN) TO-220 Transistor 1. BASE TO-220 2. COLLECTOR Features 3 2 1 — power switching applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value 700 400 9 12 2 150 -55-150 Units V V V A W ℃ ℃ Dimensions in inches and (millimeters) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb
LGE
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11 3DD13009   Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

1 3DD13009 NPN 3DD13009 2 2.1 2.2 TO-220F Tamb= 25 - Ta=25 Tc=25 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 400 700 9 12 2 100 150 -55 150 V V V A W Tamb= 25 10.4max 3.2 2.7max 4.8max 2.7 15.5max 1.2 0.6 2.54 2.54 BCE 12.7min 2.3 0.6 - ICB0 VCB=700V, IE=0 - IEB0 VEB=9V, IC=0 0.1 mA 0.1 mA hFEa VCE=5V, IC=3A 8 40 hFE1 hFE2 - - hFE1/ hFE2 VCE a sat VBE a sat hFE1 VCE=5V,IC=5mA hFE2 VCE=5V,IC=3A IC=8A, IB=1.6A IC=8A, IB=1.6A 0.75 0.9 1.5 1.6 V V tf VCC=125V, IC=8A ts IB1=-IB2=1.6A 0.9 s 4s fT VCE=1
ETC
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10 3DD13009   NPN Transistor

Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen 1. NPN 3DD13009 2. TO-220 3. 4. Ta=25 VCBO VCEO VEBO IC T a=25 PC T c=25 Tj Tstg 5 Ta=25 700 400 9 12 3.0 100 150 -55~150 V V V A W W B VCBO B VCEO B VEBO ICBO ICEO IEBO VCE sat VBEsat hFE tf ts fT Mi Ma nx IC= 1mA IE=0 700 V IC= 10 mA IB=0 400 V IE=1mA IC=0 VCB= 680 V IE=0 9 5 V µA VCE=390V IB=0 5 µA VEB=9V IC=0 5 µA IC= 8A IB=1.6A 1.5 V IC= 12 A IB=3 A 2.8 V IC= 5A IB=1 A 1.5 V VCE= 5V IC=5A 15 30 5 IC= 0.5A IB1= -IB2 =0. 1A 0.
Dayan Technology
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9 3DD13009-A9   Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

产品概述 3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A9 ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高 应用 ● 计算机电源 ● 大功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 12 100 V A
ETC
ETC
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8 3DD13009A8   Silicon NPN Transistor

产品概述 3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A8 ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高 应用 ● 计算机电源 ● 大功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 12 100 V A
Huajing Microelectronics
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7 3DD13009AN   Silicon NPN Transistor

产品概述 3DD13009 AN 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 AN ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高 应用 ● 计算机电源 ● 大功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25℃) 400 12 120 V A
Huajing Microelectronics
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6 3DD13009C8   Silicon NPN Transistor

产品概述 3DD13009 C8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 C8 ○R 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 合适的开关速度 ● 可靠性高 应用 ● 电子节能灯 ● 电子镇流器 ● 一般功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot(TC=25
Huajing Microelectronics
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5 3DD13009K   HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13009K 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCEO PC(TO-220C) PC(TO-3PB) 12A 400V 100W 120W 用途 z 节能灯 z 电子镇流器 z 高频开关电源 z 高频功率变换 z 一般功率放大电路 APPLICATIONS z Energy-saving light z Electronic ballasts z High frequency switching power supply z High frequency power transform z Commonly power amplifier 产品特性 z高耐压 z高电流容量 z高开关速度 z
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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CD4515BC

The CD4514BC and CD4515BC are 4-to-16 line decoders with latched inputs implemented with complementary MOS (CMOS) circuits constructed with N- and P-channel enhancement mode transistors.

Fairchild Semiconductor
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HV101WU1-1E6

HV101WU1-1E6 is a color active matrix TFT LCD module using amorphous silicon TFT's (Thin Film Transistors) as an active switching devices.

HYDIS
HYDIS
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свойства компонента (features), его основные параметры (quick reference data), обозначение на принципиальных схемах (symbol), краткое описание (general description).



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