|
33N25T даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
33N25 | Fairchild Semiconductor |
FDB33N25 FDB33N25 250V N-Channel MOSFET
September 2005
UniFET
FDB33N25
250V N-Channel MOSFET Features
• 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability
TM
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resist |
Это результат поиска, начинающийся с "33N2", "33" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FDA33N25 | Fairchild Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) FDA33N25 — N-Channel UniFETTM MOSFET
FDA33N25
N-Channel UniFETTM MOSFET
250 V, 33 A, 94 mΩ
Features
• RDS(on) = 88 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID =16.5 A • Low Gate Charge (Typ. 36 nC) • Low Crss (Typ. 35 pF) • 100% Avalanche Tested • RoHS Compliant
Applications
• PD |
|
FDB33N25 | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET
FDB33N25 / FDI33N25
250V N-Channel MOSFET Features
• 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabili |
|
FDI33N25 | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET
FDB33N25 / FDI33N25
250V N-Channel MOSFET Features
• 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabili |
|
FDP33N25 | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET
FDP33N25 250V N-Channel MOSFET
FDP33N25
250V N-Channel MOSFET Features
• 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabilit |
|
FDPF33N25 | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET
FDPF33N25 250V N-Channel MOSFET
FDPF33N25
250V N-Channel MOSFET Features
• 20A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabil |
|
FDPF33N25T | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET FDP33N25 / FDPF33N25T 250V N-Channel MOSFET
October
UniFET
FDP33N25 / FDPF33N25T
250V N-Channel MOSFET
Features
• • • • • 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 36.8 nC) Low Crss ( typical 39 pF) Fast switching Improved dv/dt capability
T |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |