DataSheet26.com


33N25T даташит

Функция этой детали – «PDF».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
33N25 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  FDB33N25

FDB33N25 250V N-Channel MOSFET September 2005 UniFET FDB33N25 250V N-Channel MOSFET Features • 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability TM Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resist
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "33N2", "33"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
FDA33N25 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

MOSFET ( Transistor )

FDA33N25 — N-Channel UniFETTM MOSFET FDA33N25 N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 33 A, 94 mΩ Features • RDS(on) = 88 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID =16.5 A • Low Gate Charge (Typ. 36 nC) • Low Crss (Typ. 35 pF) • 100% Avalanche Tested • RoHS Compliant Applications • PD
pdf
FDB33N25 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET Features • 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabili
pdf
FDI33N25 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET Features • 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabili
pdf
FDP33N25 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FDP33N25 250V N-Channel MOSFET FDP33N25 250V N-Channel MOSFET Features • 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabilit
pdf
FDPF33N25 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FDPF33N25 250V N-Channel MOSFET FDPF33N25 250V N-Channel MOSFET Features • 20A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 36.8 nC) • Low Crss ( typical 39 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capabil
pdf
FDPF33N25T Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FDP33N25 / FDPF33N25T 250V N-Channel MOSFET October UniFET FDP33N25 / FDPF33N25T 250V N-Channel MOSFET Features • • • • • 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 36.8 nC) Low Crss ( typical 39 pF) Fast switching Improved dv/dt capability T
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты