|
30KPA75CA даташитФункция этой детали – «Diode Tvs Single Bi-dir 75v 30kw 2-pin Case». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
30KPA75CA | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Bi-Dir 75V 30KW 2-Pin Case P600 T/R |
Это результат поиска, начинающийся с "30KPA75CA", "30KPA7" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SM30KPA75CAN | Protek Devices |
30kW SURFACE MOUNT POWER TVS COMPONENT 05435
Only One Name Means ProTek’Tion™
30kW SURFACE MOUNT POWER TVS COMPONENT
SM30KPA30AN - SM30KPA320CAN RTCA DO-160G COMPLIANT PRODUCT
DESCRIPTION
The SM30KPAN Series are high-powered surface mount transient voltage suppression components designed to protect equipment an |
|
2KG023075JL | Silan Microelectronics |
SWITCHING DIODE CHIPS 2KG023075JL
2KG023075JL SWITCHING DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2KG023075JL is a high speed switching diode chip fabricated in planar technology. Ø Ø This chip can be encapsulated as 1N4148 switching diode. This chip has several thicknesses, can suit for different plastic package. |
|
2SC3075 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process)
2SC3075
2SC3075
Switching Regulator and High Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications
Unit: mm
· Excellent switching times: tr = 1.0 µs (max) tf = 1.5 µs (max) |
|
2SC3075 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type
NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SC3075
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Transistors
Unit: mm
+0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7
+0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2
Features
Excellent Switching Times
+0.2 9.70 -0.2
tr=1.0ìs (Max.) tf=1.5ìs (Max.) at IC=0.5A High colletor Breakdown Vol |
|
2SK3075 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK3075
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE
2SK3075
RF Power MOSFET for VHF− and UHF−Band Power Amplifier
(Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment. These TOSHIBA |
|
30KPA70 | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Uni-Dir 70V 30KW 2-Pin Case P600 T/R |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |