DataSheet26.com


30KPA75CA даташит

Функция этой детали – «Diode Tvs Single Bi-dir 75v 30kw 2-pin Case».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
30KPA75CA New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
  Diode TVS Single Bi-Dir 75V 30KW 2-Pin Case P600 T/R

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "30KPA75CA", "30KPA7"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
SM30KPA75CAN Protek Devices
Protek Devices

30kW SURFACE MOUNT POWER TVS COMPONENT

05435 Only One Name Means ProTek’Tion™ 30kW SURFACE MOUNT POWER TVS COMPONENT SM30KPA30AN - SM30KPA320CAN RTCA DO-160G COMPLIANT PRODUCT DESCRIPTION The SM30KPAN Series are high-powered surface mount transient voltage suppression components designed to protect equipment an
pdf
2KG023075JL Silan Microelectronics
Silan Microelectronics

SWITCHING DIODE CHIPS

2KG023075JL 2KG023075JL SWITCHING DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2KG023075JL is a high speed switching diode chip fabricated in planar technology. Ø Ø This chip can be encapsulated as 1N4148 switching diode. This chip has several thicknesses, can suit for different plastic package.
pdf
2SC3075 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC3075 2SC3075 Switching Regulator and High Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications Unit: mm · Excellent switching times: tr = 1.0 µs (max) tf = 1.5 µs (max)
pdf
2SC3075 Kexin
Kexin

NPN Silicon Epitaxial Transistor

SMD Type NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SC3075 TO-252 +0.15 1.50 -0.15 Transistors Unit: mm +0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7 +0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2 Features Excellent Switching Times +0.2 9.70 -0.2 tr=1.0ìs (Max.) tf=1.5ìs (Max.) at IC=0.5A High colletor Breakdown Vol
pdf
2SK3075 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK3075 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE 2SK3075 RF Power MOSFET for VHF− and UHF−Band Power Amplifier (Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment. These TOSHIBA
pdf
30KPA70 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode TVS Single Uni-Dir 70V 30KW 2-Pin Case P600 T/R

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты