|
3.0KP15CA даташитФункция этой детали – «Transient Voltage Supresor Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
3.0KP15CA | Yint |
Transient Voltage Supresor Diode 3KP Series
3KP Transient Voltage Suppressor Diode Series
General Information
The 3KP series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. The 3KP series is supplied in YINT Semiconductor ’ s exclusive,cost-effective,highly reliable and is ideally suited for use in communication systems, automotive, numerical controls , process controls, medical equipment, busines |
Это результат поиска, начинающийся с "3.0KP15CA", "3.0KP1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3015 | America Semiconductor |
(1N3000 - 1N3015) 10W Zener Diodes Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
1N3015 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 200V 20% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N3015A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 200V 10% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N3015B | Microsemi Corporation |
10 WATT ZENER DIODES 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A
10 WATT ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION These high power 10 W Zener diodes represented by the JEDEC registered 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A series provide voltage regulation in a selection over a 3.9 V to 20 |
|
1N3015B | Naina Semiconductor |
(1N2970B - 1N3015B) 10 WATT ZENER DIODES |
|
1N3015B | Digitron Semiconductors |
10 WATT ZENER DIODES 1N2970-1N3015B, 1N3993-1N4000A
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
10 WATT ZENER DIODES
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as n |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |