|
2SK4177 даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mosfet / Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK4177 | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number : ENA0869
2SK4177
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
N-Channel Silicon MOSFET
2SK4177
Features
• • •
General-Purpose Switching Device Applications
Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. Adoption of high reliability HVP process. Avalanche resistance guarantee.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Channel Temperature Storage Tem |
|
2SK4177 | ON Semiconductor |
N-Channel Power MOSFET / Transistor Ordering number : ENA0869A
2SK4177
N-Channel Power MOSFET
1500V, 2A, 13Ω, TO-263-2L
http://onsemi.com
Features
• ON-resistance RDS(on)=10Ω(typ.) • 10V drive
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Channel Temperature
VDSS VGSS ID IDP PD Tch
Storage Temperature
Tstg
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
EAS
Avalanche Current *2
IAV
Note :*1 VDD=50V, L=20mH, |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |