|
2SK4100 даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2SK4100LS |  Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET
Ordering number : ENA0778
2SK4100LS
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
N-Channel Silicon MOSFET
2SK4100LS
Features
• • • •
General-Purpose Switching Device Applications
Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. Adoption of high reliability HVP process. Attachment workability is good by Mica-less package. Avalanche resistance guarantee.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK4100", "2SK410" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 24100 |  C&DTechnologies |
BobbinWoundSurfaceMountInductors |
 |
| 2SK410 |  Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET (HF/VHF power amplifier) 2SK410
Silicon N-Channel MOS FET
Application
HF/VHF power amplifier
Features
• • • • • • • High breakdown voltage You can decrease handling current. Included gate protection diode No secondary–breakdown Wide area of safe operation Simple bias circuitry No therma |
|
| 2SK4101FG |  Sanyo |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number : ENA1365
2SK4101FG
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SK4101FG
Features
• • • •
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device Applications
Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. Adoption of high reliability H |
|
| 2SK4101FS | Sanyo |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number : ENA1366
2SK4101FS
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SK4101FS
Features
• • • •
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device Applications
Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. Adoption of high reliability H |
|
| 2SK4101LS | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET
Ordering number : ENA0745
2SK4101LS
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
N-Channel Silicon MOSFET
2SK4101LS
Features
• • • •
General-Purpose Switching Device Applications
Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. High relia |
|
| 2SK4106 |  Toshiba |
Field Effect Transistor 2SK4106
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK4106
Switching Regulator Applications
Unit: mm • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current: I |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |