|
2SK3639 даташитФункция этой детали – «Switching N-channel Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3639 | NEC |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3639
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION
The 2SK3639 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER 2SK3639-ZK PACKAGE TO-252 (MP-3ZK)
(TO-252)
FEATURES
• Low on-state resistance RDS(on)1 = 5.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A) RDS(on)2 = 8.5 |
|
2SK3639 | Guangdong Kexin Industrial |
MOS Field Effect Transistor SMD Type
IC MOSFET
MOS Field Effect Transistor 2SK3639
TO-252
+0.15 1.50-0.15
Features
Low on-state resistance RDS(on)1 = 5.5 m RDS(on)2 = 8.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A)
+0.2 9.70-0.2
Unit: mm
+0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7
+0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2
Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP.
+0.1 0.80-0.1
+0.15 0.50-0.15
0.127 max
2.3
+0.15 4.60-0.15
+0.1 0.60-0.1
+0.28 1.50-0.1
+0.25 2.65-0.1
+0.15 5.55-0.15
MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 32 A)
1 Gate 2 Drain 3 Source
Absolute Maximum Ratings Ta = |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |