DataSheet26.com


2SK3639 даташит

Функция этой детали – «Switching N-channel Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK3639 NEC
NEC
  SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3639 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3639 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SK3639-ZK PACKAGE TO-252 (MP-3ZK) (TO-252) FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 5.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A) RDS(on)2 = 8.5
pdf
2SK3639 Guangdong Kexin Industrial
Guangdong Kexin Industrial
  MOS Field Effect Transistor

SMD Type IC MOSFET MOS Field Effect Transistor 2SK3639 TO-252 +0.15 1.50-0.15 Features Low on-state resistance RDS(on)1 = 5.5 m RDS(on)2 = 8.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A) +0.2 9.70-0.2 Unit: mm +0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7 +0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2 Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP. +0.1 0.80-0.1 +0.15 0.50-0.15 0.127 max 2.3 +0.15 4.60-0.15 +0.1 0.60-0.1 +0.28 1.50-0.1 +0.25 2.65-0.1 +0.15 5.55-0.15 MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 32 A) 1 Gate 2 Drain 3 Source Absolute Maximum Ratings Ta =
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты