|
2SK3592-01SJ даташитФункция этой детали – «N-channel SilICon Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3592-01SJ | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3592-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
200304
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings (mm)
Applications
Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters
See to P4
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Ratings Unit V 150 V 120 A Continuous drain current ±57 A Pulsed drain current ±228 V |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK3592", "2SK3592-0" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3592-01L | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3592-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
200304
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings (mm)
Applications
Switching regulators UPS |
|
2SK3592-01S | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3592-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
200304
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings (mm)
Applications
Switching regulators UPS |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |