DataSheet26.com


2SK3561 даташит

Функция этой детали – «SilICon N Channel Mos Type Field Effect Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK3561 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK3561 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK3561 Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ) Gate-source voltage
pdf
2SK3561 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

pdf
2SK3561 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

pdf
2SK3561 Toshiba
Toshiba
  Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

pdf
2SK3561 Toshiba
Toshiba
  Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

pdf
2SK3561 Toshiba
Toshiba
  Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты