|
2SK3561 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Type Field Effect Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3561 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK3561
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK3561
Switching Regulator Applications
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ) Gate-source voltage |
|
2SK3561 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor |
|
2SK3561 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor |
|
2SK3561 | Toshiba |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor |
|
2SK3561 | Toshiba |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor |
|
2SK3561 | Toshiba |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |