|
2SK3147S даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3147S | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK3147(L),2SK3147(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-731 (Z) 1st. Edition February 1999 Features
• Low on-resistance R DS = 0.1 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
DPAK–2
4
4
D 2 1 2 G 1 3
3 S
1 2
3
1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain
2SK3147(L),2SK3147(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK3147S", "2SK31" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK310 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK310
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 400V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·High speed power Switching .
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25� |
|
2SK310 | Hitachi Semiconductor |
(2SK310 / 2SK311) SILICON N-CHANNEL MOS FET |
|
2SK3101LS | Sanyo |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number : ENN7910
2SK3101LS
2SK3101LS
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device Applications
Features
• Low ON-resistance. • Low Qg. • Ultrahigh-Speed Switching Applications. • Avalanche resistance guarantee.
Specifications
Absolute Maximum Ra |
|
2SK3102-01R | Fuji Semiconductors |
MOSFET / Power MOSFETs w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
.D
t a
S a
e h
t e
U 4
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2SK3105 | NEC |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3105
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
DESCRIPTION
The 2SK3105 is a switching device which can be driven directly by a 4 V power source. The 2SK3105 features a low on-state resistance and excellent switching character |
|
2SK3107 | NEC |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3107
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
DESCRIPTION
The 2SK3107 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The 2SK3107 has excellent switching characteristics, and is suitabl |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |