DataSheet26.com


2SK3147S даташит

Функция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK3147S Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3147(L),2SK3147(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-731 (Z) 1st. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS = 0.1 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline DPAK–2 4 4 D 2 1 2 G 1 3 3 S 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain 2SK3147(L),2SK3147(S) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK3147S", "2SK31"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK310 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK310 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·High speed power Switching . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25�
pdf
2SK310 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

(2SK310 / 2SK311) SILICON N-CHANNEL MOS FET

pdf
2SK3101LS Sanyo
Sanyo

N-Channel Silicon MOSFET

Ordering number : ENN7910 2SK3101LS 2SK3101LS N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Low Qg. • Ultrahigh-Speed Switching Applications. • Avalanche resistance guarantee. Specifications Absolute Maximum Ra
pdf
2SK3102-01R Fuji Semiconductors
Fuji Semiconductors

MOSFET / Power MOSFETs

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w .D t a S a e h t e U 4 .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2SK3105 NEC
NEC

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3105 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The 2SK3105 is a switching device which can be driven directly by a 4 V power source. The 2SK3105 features a low on-state resistance and excellent switching character
pdf
2SK3107 NEC
NEC

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3107 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DESCRIPTION The 2SK3107 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The 2SK3107 has excellent switching characteristics, and is suitabl
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты