DataSheet26.com


2SK3117 даташит

Функция этой детали – «N Channel Mos Type (low Noise Pre-amplifier/ Tone».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK3117 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  N CHANNEL MOS TYPE (LOW NOISE PRE-AMPLIFIER/ TONE CONTROL AMPLIFIER AND DC-AC HIGH INPUT IMPEDANCE AMPLIFIER CIRCUIT APPLICATIONS)

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK3117", "2SK3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK30 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

Power F-MOS FETs 2SK3049 Silicon N-Channel Power F-MOS FET s Features q Avalanche energy capacity guaranteed q High-speed switching q Low ON-resistance q No secondary breakdown unit: mm 9.9±0.3 4.6±0.2 2.9±0.2 s Applications q Contactless relay q Diving circuit for a solenoi
pdf
2SK30 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Small switching (30V/ 0.1A)

Transistor Small switching (30V, 0.1A) 2SK3019 FFeatures 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. 4) Easily designed drive circuits. 5) Easy to parallel. FApplications Interfacing, switching (30V,
pdf
2SK30 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3069 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-694I (Z) 10th. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline TO–220AB D G 1 2 S 3 1. Ga
pdf
2SK30 NEC
NEC

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3058 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SK3058 2SK3058-S 2SK3058-ZJ PACKAGE TO-220AB TO-262 TO-263 DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high curr
pdf
2SK300 Sony Corporation
Sony Corporation

N-Channel Silicon MOSFET

pdf
2SK3000 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching

2SK3000 Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching ADE-208-585 (Z) 1st. Edition December 1997 Features • Low on-resistance R DS(on) = 0. 25Ω typ. (V GS = 10 V, ID = 450 mA) • 4V gate drive devices. • Small package (MPAK) • Expansive drain to source surge p
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты