|
2SK30A даташитФункция этой детали – «SilICon N-cahannel Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK30A | Xiaosheng |
Silicon N-Cahannel FET Silicon Junction FETs
XIAOSHENG
Symbol:
Drain
LH03 Series of Products interconvert:
2SK30A
Gate
Source
Silicon N-Chinnel Junction FET
Application:
For charge sensor, meter amplifier circuit, rheostat , chopper and gain controller for AGC ,electronic switch.
Package example:
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter Gate to Drain voltage Gate to Source voltage Gate current Allowable power dissipation Junction Temperature Storage Temperature Symbol VGDO VGSO IG PD Tj Tstg Ratings -5 |
|
2SK30ATM | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel Junction Type Transistor 2SK30ATM
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK30ATM
Low Noise Pre-Amplifier, Tone Control Amplifier and DC-AC High Input Impedance Amplifier Circuit Applications
Unit: mm
• High breakdown voltage: VGDS = −50 V • High input impedance: IGSS = −1 nA (max) (VGS = −30 V) • Low noise: NF = 0.5 dB (typ.)
(VDS = 15 V, VGS = 0, RG = 100 kΩ, f = 120 Hz)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Gate-drain voltage
VGDS −50 V
Gate current
IG 10 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |