DataSheet26.com


2SK30A даташит

Функция этой детали – «SilICon N-cahannel Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK30A Xiaosheng
Xiaosheng
  Silicon N-Cahannel FET

Silicon Junction FETs XIAOSHENG Symbol: Drain LH03 Series of Products interconvert: 2SK30A Gate Source Silicon N-Chinnel Junction FET „ Application: For charge sensor, meter amplifier circuit, rheostat , chopper and gain controller for AGC ,electronic switch. Package example: „ Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃) Parameter Gate to Drain voltage Gate to Source voltage Gate current Allowable power dissipation Junction Temperature Storage Temperature Symbol VGDO VGSO IG PD Tj Tstg Ratings -5
pdf
2SK30ATM Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon N Channel Junction Type Transistor

2SK30ATM TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK30ATM Low Noise Pre-Amplifier, Tone Control Amplifier and DC-AC High Input Impedance Amplifier Circuit Applications Unit: mm • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • High input impedance: IGSS = −1 nA (max) (VGS = −30 V) • Low noise: NF = 0.5 dB (typ.) (VDS = 15 V, VGS = 0, RG = 100 kΩ, f = 120 Hz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Gate-drain voltage VGDS −50 V Gate current IG 10
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты