DataSheet26.com


2SK3070 даташит

Функция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK3070 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3070(L),2SK3070(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-684G (Z) 8th. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS(on) = 4.5 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 D 1 1 2 3 G 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain S Datasheet Title Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Avalanche c
pdf
2SK3070L Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

pdf
2SK3070S Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты