|
2SK3070 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3070 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK3070(L),2SK3070(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-684G (Z) 8th. Edition February 1999 Features
• Low on-resistance R DS(on) = 4.5 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
LDPAK
4 4
D 1 1
2
3
G
2
3
1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain
S
Datasheet Title
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Avalanche c |
|
2SK3070L | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
2SK3070S | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |