|
2SK3044 даташитФункция этой детали – «SilICon N-channel Power F-mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3044 | Panasonic Semiconductor |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET Power F-MOS FETs
2SK3044
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 130mJ q VGSS = ±30V guaranteed q High-speed switching: tf = 50ns q No secondary breakdown
unit: mm
9.9±0.3 4.6±0.2 2.9±0.2
s Applications
q Contactless relay q Diving circuit for a solenoid q Driving circuit for a motor q Control equipment q Switching power supply
15.0±0.5
φ3.2±0.1
13.7±0.2 4.2±0.2
1.4±0.2 1.6±0.2 0.8±0.1
3.0±0.5
2.6±0.1
0.55±0.15
s Absolute Maximum Ratings (TC = 2 |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK3044", "2SK3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK30 | Panasonic Semiconductor |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET Power F-MOS FETs
2SK3049
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q Avalanche energy capacity guaranteed q High-speed switching q Low ON-resistance q No secondary breakdown
unit: mm
9.9±0.3 4.6±0.2 2.9±0.2
s Applications
q Contactless relay q Diving circuit for a solenoi |
|
2SK30 | ROHM Semiconductor |
Small switching (30V/ 0.1A) Transistor
Small switching (30V, 0.1A)
2SK3019
FFeatures 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. 4) Easily designed drive circuits. 5) Easy to parallel. FApplications Interfacing, switching (30V, |
|
2SK30 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK3069
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-694I (Z) 10th. Edition February 1999 Features
• Low on-resistance R DS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
TO–220AB
D
G
1 2 S 3
1. Ga |
|
2SK30 | NEC |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3058
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER 2SK3058 2SK3058-S 2SK3058-ZJ PACKAGE TO-220AB TO-262 TO-263
DESCRIPTION
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high curr |
|
2SK300 | Sony Corporation |
N-Channel Silicon MOSFET |
|
2SK3000 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching 2SK3000
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching
ADE-208-585 (Z) 1st. Edition December 1997 Features
• Low on-resistance R DS(on) = 0. 25Ω typ. (V GS = 10 V, ID = 450 mA) • 4V gate drive devices. • Small package (MPAK) • Expansive drain to source surge p |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |