|
2SK2929 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2929 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2929
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-552C (Z) 4th. Edition Jun 1998 Features
• Low on-resistance R DS =0.026 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO–220AB
D
G
1 2 S 3
1. Gate 2. Drain(Flange 3. Source
2SK2929
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Avalanche current Avalanche energy Channel dissipat |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK2929", "2SK2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2000 | Fuji Electric |
Power MOSFET ( Transistor ) |
|
2SK2000-R | Fuji Electric |
Power MOSFET ( Transistor ) |
|
2SK2001 | Fuji Semiconductors |
(2SKxxxx) MOSFETs Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
|
|
2SK2002-01M | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2002-01M
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif |
|
2SK2002-01MR | Fuji Electric |
N-channel MOS-FET 2SK2002-01MR
FAP-IIA Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
N-channel MOS-FET
600V
4,5Ω
3A
30W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS DC-DC co |
|
2SK2003-01M | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2003-01M
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |