DataSheet26.com


2SK2929 даташит

Функция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2929 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2929 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-552C (Z) 4th. Edition Jun 1998 Features • Low on-resistance R DS =0.026 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline TO–220AB D G 1 2 S 3 1. Gate 2. Drain(Flange 3. Source 2SK2929 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Avalanche current Avalanche energy Channel dissipat
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK2929", "2SK2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2000 Fuji Electric
Fuji Electric

Power MOSFET ( Transistor )

pdf
2SK2000-R Fuji Electric
Fuji Electric

Power MOSFET ( Transistor )

pdf
2SK2001 Fuji Semiconductors
Fuji Semiconductors

(2SKxxxx) MOSFETs

Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
pdf
2SK2002-01M Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2002-01M DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif
pdf
2SK2002-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2002-01MR FAP-IIA Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 600V 4,5Ω 3A 30W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC co
pdf
2SK2003-01M Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2003-01M DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты