|
2SK2922 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet Uhf Power Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2922 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier 2SK2922
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
ADE-208-675(Z) 1st. Edition Aug. 1998 Features
• High power output, High gain, High efficiency PG = 8.0dB, Pout = 31dBm, ηD = 57 %min. (f = 836.5MHz) • Compact package capable of surface mounting
Outline
UPAK
3
2
1
4 1. Gate 2. Source 3. Drain 4. Source
This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.
2SK2922
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain c |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK2922", "2SK2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2000 | Fuji Electric |
Power MOSFET ( Transistor ) |
|
2SK2000-R | Fuji Electric |
Power MOSFET ( Transistor ) |
|
2SK2001 | Fuji Semiconductors |
(2SKxxxx) MOSFETs Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
|
|
2SK2002-01M | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2002-01M
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif |
|
2SK2002-01MR | Fuji Electric |
N-channel MOS-FET 2SK2002-01MR
FAP-IIA Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
N-channel MOS-FET
600V
4,5Ω
3A
30W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS DC-DC co |
|
2SK2003-01M | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2003-01M
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |