DataSheet26.com


2SK2590 даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2590 Renesas
Renesas
  Silicon N Channel MOS FET

2SK2590 Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB) G 123 REJ03G1021-0300 (Previous: ADE-208-1365A) Rev.3.00 Sep 07, 2005 D 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6 2SK2590 Absolute Maximum Ratings Item Drain to source voltage
pdf
2SK2590 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
  N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2590 DESCRIPTION ·Drain Current ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching Regulators ·DC-DC Converter, ·Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) VGS Gate-Source Voltage ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 200 ±30 7 V V A ID(puls) Pulsed Drain Current 28 A Ptot Total Dissipation@TC=25�
pdf
2SK2590 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N-Channel MOS FET

2SK2590 Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter, Motor Control Outline TO-220AB D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S 2SK2590 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel dissipati
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты