|
2SK2590 даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2590 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK2590
Silicon N Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter, motor control
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB)
G
123
REJ03G1021-0300 (Previous: ADE-208-1365A)
Rev.3.00 Sep 07, 2005
D 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
2SK2590
Absolute Maximum Ratings
Item Drain to source voltage |
|
2SK2590 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2590
DESCRIPTION ·Drain Current ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 200V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching Regulators ·DC-DC Converter, ·Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-continuous@ TC=25℃
200 ±30
7
V V A
ID(puls)
Pulsed Drain Current
28 A
Ptot Total Dissipation@TC=25� |
|
2SK2590 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK2590
Silicon N-Channel MOS FET
Preliminary
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter, Motor Control
Outline
TO-220AB
D G
1
2
3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
2SK2590
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel dissipati |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |