DataSheet26.com


2SK2318 даташит

Функция этой детали – «N-channel SilICon Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2318 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
  N-Channel Silicon MOSFET

Ordering number:ENN5106 Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive. N-Channel Silicon MOSFET 2SK2318 Ultrahigh-Speed Switching Applications Package Dimensions unit:mm 2083B 6.5 5.0 4 [2SK2318] 2.3 0.5 5.5 1.5 7.0 0.85 0.7 1.2 0.8 1.6 7.5 0.6 12 3 0.5 unit:mm 2092B 2.3 6.5 5.0 4 2.3 [2SK2318] 2.3 0.5 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source SANYO : TP 0.8 5.5 1.5 2.5 7.0 1.2 0.85 1 0.6 2 3 0.5 1.2 0 to 0.2 2.3 2.3 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source SANYO : TP-FA Any and all SANY
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK2318", "2SK2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2000 Fuji Electric
Fuji Electric

Power MOSFET ( Transistor )

pdf
2SK2000-R Fuji Electric
Fuji Electric

Power MOSFET ( Transistor )

pdf
2SK2001 Fuji Semiconductors
Fuji Semiconductors

(2SKxxxx) MOSFETs

Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
pdf
2SK2002-01M Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2002-01M DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif
pdf
2SK2002-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2002-01MR FAP-IIA Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 600V 4,5Ω 3A 30W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC co
pdf
2SK2003-01M Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2003-01M DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты