|
2SK2152 даташитФункция этой детали – «N-channel SilICon Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2152 | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:ENN4569A
Features
· Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive.
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2152
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Package Dimensions
unit:mm
2062A
[2SK2152] 4.5 1.6
1.5
1.0 2.5 4.25max
0.4 0.5
32 1.5 3.0
1
0.75
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (pulse)
Symbol
VDSS VGSS
ID IDP
Allowable Power Dissipation
PD
Channel Temperature Storag |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK2152", "2SK2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2000 | Fuji Electric |
Power MOSFET ( Transistor ) |
|
2SK2000-R | Fuji Electric |
Power MOSFET ( Transistor ) |
|
2SK2001 | Fuji Semiconductors |
(2SKxxxx) MOSFETs Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
|
|
2SK2002-01M | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2002-01M
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif |
|
2SK2002-01MR | Fuji Electric |
N-channel MOS-FET 2SK2002-01MR
FAP-IIA Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
N-channel MOS-FET
600V
4,5Ω
3A
30W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS DC-DC co |
|
2SK2003-01M | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2003-01M
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |