|
2SK2114 даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK2114 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK2114
Silicon N Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator
Outline
REJ03G0998-0200 (Previous: ADE-208-1346)
Rev.2.00 Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0003AE-A (Package name: TO-220C•FM)
D
G
1. Gate 2. Drain 3. Source
12 3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
2SK2114
Absolute Maximum Ratings
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain cu |
|
2SK2114 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 450V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators
isc Product Specification
2SK2114
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-continuous@ TC=25℃
450 ±30
5
V V A
ID(puls)
Pulsed Drain Current
20 A
Ptot Total Dissipation@TC=25℃
35 W
Tj Max. Operating Junctio |
|
2SK2114 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK2114, 2SK2115
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator
Outline
TO-220CFM
D G
12 3
1. Gate 2. Drain 3. Source
S
2SK2114, 2SK2115
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage 2SK2114 2SK2115 Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel dissipation Channel temperatur |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |