DataSheet26.com


2SK2114 даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2114 Renesas
Renesas
  Silicon N Channel MOS FET

2SK2114 Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator Outline REJ03G0998-0200 (Previous: ADE-208-1346) Rev.2.00 Sep 07, 2005 RENESAS Package code: PRSS0003AE-A (Package name: TO-220C•FM) D G 1. Gate 2. Drain 3. Source 12 3 S Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6 2SK2114 Absolute Maximum Ratings Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain cu
pdf
2SK2114 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
  N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching regulators isc Product Specification 2SK2114 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) VGS Gate-Source Voltage ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 450 ±30 5 V V A ID(puls) Pulsed Drain Current 20 A Ptot Total Dissipation@TC=25℃ 35 W Tj Max. Operating Junctio
pdf
2SK2114 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N-Channel MOS FET

2SK2114, 2SK2115 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220CFM D G 12 3 1. Gate 2. Drain 3. Source S 2SK2114, 2SK2115 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage 2SK2114 2SK2115 Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel dissipation Channel temperatur
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты