DataSheet26.com


2SK2050 даташит

Функция этой детали – «N-channel Mos-fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2050 Fuji Electric
Fuji Electric
  N-channel MOS-FET

2SK2050 F-III Series > Features High Current Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Forward Transconductance N-channel MOS-FET 100V 0,055Ω 30A 80W > Outline Drawing > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maximum Ratings and Characteristics - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified Item Drain-Source-Voltage Drain-Gate-Voltage (RGS=20KΩ) Continous Drain Current Pulsed Drain Current Gate-Source-Voltage Max. Power Dissipa
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK2050", "2SK2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2000 Fuji Electric
Fuji Electric

Power MOSFET ( Transistor )

pdf
2SK2000-R Fuji Electric
Fuji Electric

Power MOSFET ( Transistor )

pdf
2SK2001 Fuji Semiconductors
Fuji Semiconductors

(2SKxxxx) MOSFETs

Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet-pdf.com/
pdf
2SK2002-01M Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2002-01M DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif
pdf
2SK2002-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2002-01MR FAP-IIA Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 600V 4,5Ω 3A 30W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC co
pdf
2SK2003-01M Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2003-01M DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·UPS ·General purpose power amplif
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты