DataSheet26.com


2SK1889 даташит

Функция этой детали – «N-channel SilICon Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1889 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
  N-Channel Silicon MOSFET

Ordering number:EN4648 N-Channel Silicon MOSFET 2SK1899 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. · Surface mount type device making the following possible. · Reduction in the assembling time for 2SK1899- applied equipment. · High-density surface mount applications. · Small size of 2SK1899-applied equipment. Package Dimensions unit:mm 2090A [2SK1899] 10.2 4.5 1.3 1.5max 8.8 3.0 9.9 0.8 1.4 1 23 0.8 1.2 2.55 2.55 1.35 0 to 0.3 0.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK1889", "2SK1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1006 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1006-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1007 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1007 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching
pdf
2SK1007-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1008-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1009 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching isc Product Specification 2SK1009 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты