|
2SK1807 даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1807 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK1807
Silicon N Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB)
G
123
REJ03G0974-0200 (Previous: ADE-208-1321)
Rev.2.00 Sep 07, 2005
D 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
2SK1807
Absolute Maximum Ratings
Item Drain to source voltage Gate to source v |
|
2SK1807 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
DESCRIPTION ·Drain Current ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage
: VDSS= 900V(Min) ·Fast Switching Speed
isc Product Specification
2SK1807
APPLICATIONS ·High Breakdown Voltage
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
900 V
VGS Gate-Source Voltage
±30
V
ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 4 A
Ptot Total Dissipation@TC=25℃
60 W
Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage |
|
2SK1807 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1807
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switchingregulator, DC-DC converter
Outline
TO-220AB
D G
1
2
3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
2SK1807
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel dissipation Channel temperature Storag |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |