DataSheet26.com


2SK1650 даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1650 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
  N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1650 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900 (Min) APPLICATIONS ·high speed high current switching applications ·DC-DC converter and motor driver applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) VGS Gate-Source Voltage ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ Ptot Total Dissipation@TC=25℃ Tj Max. Operating Junction Temperature Tstg Storag
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK1650", "2SK1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1006 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1006-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1007 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1007 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching
pdf
2SK1007-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1008-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1009 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching isc Product Specification 2SK1009 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты