|
2SK1650 даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1650 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1650
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=900 (Min)
APPLICATIONS ·high speed high current switching applications ·DC-DC converter and motor driver applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
VGS Gate-Source Voltage ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ Ptot Total Dissipation@TC=25℃
Tj Max. Operating Junction Temperature
Tstg Storag |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK1650", "2SK1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1006 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1006-01MR | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1007 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1007
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 450V(Min)
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
applications such as switching |
|
2SK1007-01 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1008-01 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1009 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 450V(Min)
APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching
isc Product Specification
2SK1009
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |