DataSheet26.com


2SK1434 даташит

Функция этой детали – «N-channel SilICon Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1434 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
  N-Channel Silicon MOSFET

Ordering number:EN3572 Features · Low ON-state resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Converters. N-Channel Silicon MOSFET 2SK1434 Ultrahigh-Speed Switching Applications Package Dimensions unit:mm 2056A [2SK1434] 15.6 3.2 14.0 4.8 2.0 1.3 1.2 3.5 15.0 20.0 2.6 1.6 2.0 1.0 123 0.6 1.4 Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Symbol VDSS VGSS ID IDP Allowable Power Dissipation PD Channel
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK1434", "2SK1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1006 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1006-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1007 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1007 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching
pdf
2SK1007-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1008-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1009 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching isc Product Specification 2SK1009 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты