|
2SK1432 даташитФункция этой детали – «N-channel SilICon Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1432 | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:EN3570
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1432
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-state resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Converters. · Micaless package facilitating easy mounting.
Package Dimensions
unit:mm
2063A
[2SK1432]
4.5 10.0 2.8 3.2
3.5 7.2 16.0
18.1 5.6
1.6 1.2
0.75 123 2.55 2.55
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse)
Symbol
VDSS VGSS
ID IDP
Allo |
Это результат поиска, начинающийся с "2SK1432", "2SK1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1006 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1006-01MR | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1007 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1007
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 450V(Min)
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
applications such as switching |
|
2SK1007-01 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1008-01 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1009 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 450V(Min)
APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching
isc Product Specification
2SK1009
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |