DataSheet26.com


2SK1402A даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1402A Renesas
Renesas
  Silicon N Channel MOS FET

2SK1402, 2SK1402A Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB) 123 REJ03G0942-0200 (Previous: ADE-208-1282) Rev.2.00 Sep 07, 2005 D G 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6 2SK1402, 2SK1402A Absolute Maximum Ratings Item Drain to source
pdf
2SK1402A Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
  N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1402A DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS VGS ID Ptot Tj Tstg Drain-Source Voltage (VGS=0) Gate-Source Voltage 650 ±30 Drain Current-continuous@ TC=25℃ 4 Total Dissipation@TC=25℃ 50 Max. Operating Junction Tem
pdf
2SK1402A Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N-Channel MOS FET

2SK1402, 2SK1402A Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline TO-220AB D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S 2SK1402, 2SK1402A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage 2SK1402 2SK1402A Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Chann
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты