|
2SK1402A даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1402A | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK1402, 2SK1402A
Silicon N Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB)
123
REJ03G0942-0200 (Previous: ADE-208-1282)
Rev.2.00 Sep 07, 2005
D G 1. Gate
2. Drain (Flange)
3. Source S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
2SK1402, 2SK1402A
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to source |
|
2SK1402A | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1402A
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 650V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS VGS ID Ptot Tj Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0) Gate-Source Voltage
650 ±30
Drain Current-continuous@ TC=25℃
4
Total Dissipation@TC=25℃
50
Max. Operating Junction Tem |
|
2SK1402A | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1402, 2SK1402A
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
TO-220AB
D G
1
2
3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
2SK1402, 2SK1402A
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage 2SK1402 2SK1402A Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Chann |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |