|
2SK1277 даташитФункция этой детали – «N-channel Mos-fet(250v/ 0.12ohm/ 30a/ 150w)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1277 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1277
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=250V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
VGS Gate-Source Voltage ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ Ptot Total Dissipation@TC=25℃
Tj Max. Operating Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE
UNI T
250 V
|
|
2SK1277 | Fuji Electric |
N-Channel MOS-FET(250V/ 0.12Ohm/ 30A/ 150W) 2SK1277
F-V Series
> Features
- Include Fast Recovery Diode - High Voltage - Low Driving Power
N-channel MOS-FET
250V
0,12Ω
30A
150W
> Outline Drawing
> Applications
- Motor Control - Inverters - Choppers
> Maximum Ratings and Characteristics
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified
Item Drain-Source-Voltage Continous Drain Current Pulsed Drain Current Continous Reverse Drain Current Gate-Source-Voltage Max. Power Dissipation Operating and Storage Temperature Range Symbol V DS ID I D(pu |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |