|
2SK1169 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1169 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK1169, 2SK1170
Silicon N Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A (Package name: TO-3P)
1 2 3
REJ03G0916-0200 (Previous: ADE-208-1254)
Rev.2.00 Sep 07, 2005
D
G
1. Gate 2. Drain
(Flange)
3. Source
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
2SK1169, 2SK1170
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to sou |
|
2SK1169 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1169, 2SK1170
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
TO-3P
D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
2SK1169, 2SK1170
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage 2SK1169 2SK1170 Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel dissip |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |