DataSheet26.com


2SK1167 даташит

Функция этой детали – «SilICon N-channel Mos Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1167 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N-Channel MOS FET

2SK1167, 2SK1168 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline TO-3P D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S 2SK1167, 2SK1168 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage 2SK1167 2SK1168 Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel dissip
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SK1167", "2SK1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK1006 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1006-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1007 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1007 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching
pdf
2SK1007-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1008-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1009 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching isc Product Specification 2SK1009 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты